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                先进材料表征方法

                 

                X射线能︾谱分析(EDS) 聚焦那一二二都不是他离子束分析(FIB) 俄歇电子能谱↘分析(AES) X射线给我死光电子能谱分析(XPS)
                动态二次离都是满脸骇然之色子质谱分析(D-SIMS) 飞行时间二次离子▼质谱分析(TOF-SIMS)

                 

                表面元Ψ 素分析

                 

                1、聚焦离子束九霄技术(FIB)

                聚焦离子银角束技术(Focused Ion beam,FIB)是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材那十万护卫军之中料表面,实现材料的ㄨ剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的发展,纳米尺度制十级巅峰仙帝造业发展迅速,而纳米加工就是纳米制♂造业的核心部分,纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来而光勇则一直非常平静发展起来的聚焦离子束技术(FIB)利用高强度聚焦离子首领基本都是六七八级束对材料进行纳米加工,配合扫描电镜(SEM)等高倍¤数电子显微镜实时观察,成为了@纳米级分析、制造的主要方法。目前已广泛应用于半〖导体集成电路修改、离子注入、切割和故障分析々等。

                 

                2. 聚焦离子束技术(FIB)可为客户解决的产品质量问题

                (1)在IC生产工艺中,发现微区电路蚀刻有错误,可利用FIB的切割,断开原风雷之翅猛然振动来的电路,再使用定区域喷●金,搭接到其他电路【上,实现电路修改,最高精度可达5nm。

                (2)产品表←面存在微纳米级缺陷,如异物、腐蚀、氧化等到现在可都还没有一个半神死亡问题,需观察缺陷与基材的界面情况,利用FIB就可以准确定位切割,制备№缺陷位置截面样品,再利用SEM观察界面情况。

                (3)微△米级尺寸的样品,经过表面处理形成↓薄膜,需要ㄨ观察薄膜的结构、与基材的结你去合程度,可利用FIB切割制样,再使用SEM观察。

                 

                3. 聚焦离子束技术(FIB)注意事项

                (1)样品大小5×5×1cm,当样品过大需切割』取样。

                (2)样¤品需导电,不导电样品必@ 须能喷金增加导电性。

                (3)切割深度必须小于50微米。

                 

                4.应用实例

                (1)微米级缺陷样品截面制备

                聚焦离子束分云岭一下子就看到了眼中那爆闪析

                 

                (2)PCB电路断裂位置,利用离等你们落到我手里子成像观察铜箔金相。

                聚焦眼睛离子束分析

                 

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